第205章 宝岛电路传来异常数据

  林薇调出x射线衍射图谱。正常的氮化铝薄膜应该显示出清晰的(002)晶面择优取向峰，但第四號样品的图谱上，除了主峰外，还出现了几个微弱的额外峰位。

  “这些额外峰……”她放大图谱，“对应的是什么晶面？”

  “我们查遍了资料库。”材料主任的声音带著困惑，“这些衍射角对应的晶面间距，在標准氮化铝晶体结构中不存在。除非……”

  “除非晶体结构本身发生了改变。”林薇接过话头，“氮化铝通常是纤锌矿结构，但有没有可能在特定条件下，形成某种亚稳態的晶体变体？”

  观察室里安静了几秒。约翰·陈打破了沉默：“理论上可能，但需要极端条件，高压、高温，或者强烈的电场作用。我们的沉积过程根本不具备这些条件。”

  林薇没有立即回应。她的目光在几个屏幕间移动：原子力显微镜图像、x射线衍射图谱、沉积过程的实时监控数据……突然，她注意到一个细节。

  “功率波动发生的確切时间点，与沉积层的对应关係是什么？”她问操作员。

  技术人员调出时间同步数据。屏幕上，沉积过程的参数曲线与薄膜生长的模擬图像並列显示。那条代表电源功率的蓝色曲线，在某个时刻突然下凹，隨即恢復。

  “波动发生在沉积进行到第47纳米厚度时。”技术人员用光標標记位置，“对应的是薄膜生长中期。”

  林薇放大那个时间点的所有传感器数据。温度、压力、气体流量、等离子体密度……在功率波动的0.3秒內，几乎所有参数都发生了同步的微小变化。

  但有一个参数例外。

  “衬底偏压。”林薇指著一条几乎保持水平的红色曲线，“为什么衬底偏压没有变化？”

  衬底偏压是沉积过程中施加在硅片上的直流电压，用於吸引离子、控制薄膜的致密性和应力。通常，它应该与等离子体功率联动调节。

  约翰·陈凑近屏幕：“偏压电源是独立控制的……等等，这里有问题。”

  他调出偏压电源的详细日誌。在功率波动的同一时刻，偏压电源的记录显示：“外部干扰检测，自动切换至缓衝模式。”